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第三代半导体 SiC 碳化硅衬底生产循环水总包项目-1

第三代半导体 SiC 碳化硅衬底生产循环水总包项目

年产 1.2 万片 6/8 英寸碳化硅单晶衬底项目,大量单晶生长炉需要恒定温度冷却水。单晶生长工艺周期长达 7~14 天,冷却水温波动直接影响晶体结晶质量,易产生位错、缺陷;厂区夏季高温、冬季低温,室

  • 配套产品:单晶炉闭式冷却循环水成套总包、节能闭式冷
  • 项目地址:河北石家庄 天达晶阳半导体产业园
  • 所属行业:半导体行业(第三代半导体、碳化硅单晶)

项目概况

年产 1.2 万片 6/8 英寸碳化硅单晶衬底项目,大量单晶生长炉需要恒定温度冷却水。单晶生长工艺周期长达 7~14 天,冷却水温波动直接影响晶体结晶质量,易产生位错、缺陷;厂区夏季高温、冬季低温,室外冷却设备工况跨度大;多台单晶炉启停负荷频繁波动;要求冷却水无杂质、无生物黏泥,避免冷却水道堵塞;设计总循环水量 680m³/h。

定制解决方案

系统方案:采用全闭式冷却循环系统 + 闭式冷却塔,系统水体密闭不与空气接触,大幅减少杂质进入、抑制微生物滋生;取消敞开水池,杜绝藻类生长。

动态温控策略:多组独立换热回路,单台单晶炉供水温度独立微调;根据环境温度自动切换冷却运行模式,冬季利用自然冷源节能运行。

净化保障:系统配备全自动自清洗过滤器、磁性除垢装置;密闭体系少量投加环保型缓蚀药剂,避免菌藻滋生。

智能集群控制:整套系统接入工厂 MES 系统,实时上传温度、流量、压力数据;单台冷却回路故障独立报警,互不干扰。

项目运行成效和优势

密闭循环体系彻底杜绝菌藻、灰尘进入管路,设备水道堵塞问题基本消除;水温波动稳定控制在 ±0.25℃,碳化硅单晶缺陷率显著下降,衬底片良品率提升;冬季自然冷源利用,全年冷却能耗降低 21%;各单晶炉冷却回路独立可控,检修互不影响生产;高度自动化运行,日常维护工作量极低,完美适配第三代半导体精密生产工艺需求。

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