氮化镓外延量产产线，晶圆清洗、外延前处理工序用水。第三代半导体对于水中硼、硅、金属离子、颗粒物控制标准严苛，微量杂质会造成外延层缺陷。设计产水规模 95m³/h 超纯水；出水电阻率≥18.2MΩ・cm
增设专用除硼单元，靶向去除水中硼元素，满足第三代半导体工艺门槛；
全流程采用 EP 抛光管路，减少杂质析出；
持续紫外杀菌 + 定期管路巴氏消毒，抑制高温环境微生物繁殖；
循环管网保持恒定流速，避免局部死水；
关键水质指标 24 小时连续采集，支持工艺不良溯源。
产水电阻率稳定维持 18.2MΩ・cm；硼、TOC、颗粒物指标长期达标；外延片表面缺陷密度明显下降，射频芯片良率稳步提升；夏季高温工况未出现微生物超标，保障产线全年稳定生产。
适配 GaN 第三代半导体严苛水质标准；专用除硼深度纯化工艺；湿热环境微生物综合防控方案；洁净级管路施工与管控经验；水质全链路溯源，满足半导体工厂品质管控体系。
