国内先进制程晶圆厂，光刻、蚀刻、薄膜、CMP 清洗全工序依赖超纯水。设计产水规模 400m³/h 超纯水；出水执行 ASTM E1.1 电子超纯水标准，电阻率稳定≥18.2MΩ・cm@25℃，TOC＜
预处理段：混凝沉淀→多介质→活性炭→超滤→保安过滤；
一次纯水段：一级 RO→二级 RO→EDI→脱气；
超纯化段：185nm TOC 紫外→抛光混床→真空脱气→终端超滤→氮封储罐→闭环循环管网。
定制化设计：
① 全线 316L EP 抛光管道，惰性内衬；
② 双系列 100% 冗余，单套故障不间断供水；
③ 全流程氮封，隔绝空气中 CO₂污染；
④ 24h 不间断循环，杜绝死水；
⑤ 上百点位在线水质监测，异常自动联锁。
投运后电阻率持续稳定 18.20～18.25MΩ・cm；颗粒、TOC、金属离子长期达标；因水质问题造成的晶圆良率损失降至最低；系统可用性＞99.99%；满足先进制程芯片长期量产用水需求。
符合国际半导体超纯水顶级标准；全冗余不间断供水架构；EP 卫生级纯水管路施工能力；痕量杂质多级屏障去除；具备半导体洁净厂房施工管理经验。
