12 英寸晶圆制造超纯水 EPC 总承包项目

本项目为 12 英寸晶圆制造工厂超纯水站 EPC 总包，晶圆光刻、刻蚀、清洗工序对超纯水水质要求极高，水中微量颗粒、金属离子、TOC、溶解氧超标，都会直接造成晶圆良率下降。原水采用园区市政自来水，设计超纯水产水 180m³/h，出水电阻率≥18.2MΩ・cm，TOC≤5ppb，颗粒≥0.05μm＜1 个 /mL，溶解氧≤10ppb，符合 SEMI 电子一级用水标准。半导体厂房动力站空间有限，高纯管路要求无死腔无溶出，管材阀门需要选用电子级高纯材质；系统需要全年 24 小时不间断运行，设置设备冗余，单台设备检修不停产；项目需要严格管控施工洁净度，防止管路内部污染；建设周期紧，需要配合洁净厂房投产节点。

采用完整 EPC 交钥匙总承包模式，工艺路线：原水预处理→多介质过滤→活性炭过滤→超滤→双级反渗透→EDI 装置→脱气膜→UV‑TOC 紫外降解→抛光混床→终端精密超滤→氮封超纯水箱。关键管路、阀门全部选用 PVDF 电子级高纯材质，严格规避金属离子溶出；系统核心单元全部设置设备冗余，一台模块检修其余模块依旧可以保障产水能力；设置多道终端过滤拦截微颗粒；配置 TOC、电阻率、溶解氧、颗粒在线监测仪表；PLC 全自动控制系统，全部数据接入工厂 FAB 中控系统；管路施工执行高纯管道焊接洁净规范，管路完成后做循环冲洗、水质验证；统筹动力站土建、设备就位、高纯管路焊接、电气自控调试；交付全套竣工资料，对运维人员开展半导体超纯水专项运维培训。

项目竣工通水，超纯水产水稳定达到 180m³/h，电阻率稳定≥18.2MΩ・cm，TOC、颗粒、溶解氧全部满足 SEMI 一级标准，完全适配 12 英寸晶圆各道制造工序用水需求。设备冗余设计，实现单模块在线检修，不中断全厂超纯水供给，避免晶圆生产线非计划停机损失；高纯 PVDF 管路严格控制离子溶出，管路冲洗工艺有效消除施工带来杂质污染风险。在线多参数实时监控，水质异常自动报警联锁，提前规避水质波动风险。EPC 总包一站式完成从工艺设计、高纯设备采购、特种管路施工到调试验证，统一管控质量与工期，匹配半导体工厂投产节点，有效保障芯片生产良率，系统长期运行稳定，降低产线水质故障风险。