大尺寸硅片生产基地工艺纯水系统 EPC 总承包项目

本项目为大尺寸半导体硅片生产基地工艺纯水 EPC 总承包项目，设计产水规模 130m³/h，产水电阻率≥18.1MΩ・cm，用于硅片切割、研磨、抛光、清洗全流程工艺用水。硅片抛光工艺对水中颗粒、金属离子、TOC 指标要求严苛，微小杂质会直接造成硅片表面缺陷。原水为市政地表水，雨季有机物、胶体波动大；纯水站位于厂务动力楼，车间湿度偏高，电控设备凝露风险；硅片产线全年不间断生产，纯水系统必须高可靠连续运行。项目采用 EPC 交钥匙总承包，总承包负责全套工艺设计、设备采购、土建、高纯管路安装、冲洗钝化、自控集成、调试、性能考核、移交。项目建设需要和硅片产线同步投产，管路焊接、冲洗钝化工作量大，对施工周期管控严格。

总承包结合硅片抛光工艺严苛水质需求，采用 “预处理‑超滤‑双级反渗透‑EDI‑抛光混床‑双波长 UV‑脱气‑终端精密过滤‑车间循环管网” 工艺路线。预处理强化去除有机物、胶体；超滤保障反渗透进水；双级反渗透脱盐；EDI 深度脱盐；抛光混床降低离子；UV 去除 TOC；脱气膜降低溶解氧；终端过滤去除颗粒；建立不间断循环管网，保障硅片车间各用水点水质。总承包范围内完成泵房、水箱土建施工；工艺管路采用 316L‑EP 高纯管道，全自动轨道焊，完整执行吹扫、循环冲洗、钝化流程；控制柜配置除湿模块，应对车间高湿凝露工况。系统多列并联冗余，单系列检修不停产；PLC 接入全厂厂务监控平台，全指标在线监测，水质异常联锁回流。严格管控施工节点，保障与硅片产线同步投产；完成 72h 性能考核，交付竣工资料，培训运维人员，实现 EPC 交钥匙交付。

纯水系统产水指标稳定满足大硅片切割、研磨、抛光工艺用水，有效降低颗粒、离子杂质带来的硅片表面缺陷，助力硅片良率提升。多列并联冗余设计，保障硅片产线 7×24h 不间断供水；控制柜除湿设计解决动力站高湿凝露问题。EPC 总承包统一管控高纯设备、管路焊接、冲洗钝化全流程，规避多分包带来的质量隐患。循环管网保障远端用水点水质不衰减；整套 EPC 总承包方案适配硅片、化合物半导体材料工厂纯水建设。