该碳化硅（SiC）外延片制造项目，其外延生长需要在1600℃以上的高温CVD反应腔内进行，腔体冷却和特气（如硅烷、丙烷）冷却对水质的要求近乎“洁癖”。微量的铜、铁等重金属离子一旦混入，会导致SiC晶格
2，超纯水深度提纯：在常规RO+EDI后，增加紫外线TOC脱除器和核子级抛光混床，确保产水TOC<1ppb。
3，密闭干式冷却：室外采用闭式干式冷却塔（Dry Cooler），冷却介质为乙二醇水溶液，通过板式换热器与室内超纯水进行间接换热。。
运行成效：超纯水水质全面达到SEMI F63最高标准（金属离子<0.1ppt，TOC<1ppb），闭式冷却水温控精度±0.2℃。系统运行一年内，SiC外延片的缺陷密度（Defect Density）降低了30%，良率从初期的75%提升至90%以上。闭式干冷系统实现了冷却水100%零消耗。
核心优势：
绝对无铜设计的源头控制：铜离子是导致半导体器件漏电和击穿的“致命杀手”。本项目在设计、采购、施工全环节严格执行“无铜化”标准，甚至连阀门阀芯和仪表接头都进行了严格排查，从物理源头上彻底切断了重金属污染的途径，为第三代半导体的高良率奠定了基础。
闭式干冷杜绝二次污染：传统开式冷却塔容易滋生军团菌、藻类，且空气中的粉尘和酸性气体易溶入水中导致水质恶化。本项目采用闭式干式冷却塔，冷却水在密闭管道内循环，与外界环境完全隔离，确保了冷却水质的长期纯净，同时避免了飘水对洁净室新风系统的潜在污染。
深度提纯保障晶格质量：SiC外延对水中的TOC（总有机碳）极其敏感，有机物在高温下分解会掺入晶格形成缺陷。紫外线TOC脱除器结合核子级抛光混床，将TOC降至1ppb以下的极限水平，确保了特气和反应腔体冷却的绝对洁净，直接提升了外延片的电学性能
