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第8.6代OLED及Micro-LED阵列工艺超纯水及中水回用EPC-1

第8.6代OLED及Micro-LED阵列工艺超纯水及中水回用EPC

OLED和Micro-LED的TFT(薄膜晶体管)阵列制造对水质要求仅次于半导体逻辑芯片。特别是Micro-LED的巨量转移和微缩化工艺,对水中的金属离子(Na, K, Ca, Fe)和颗粒(>0.1

  • 配套产品:2000t/h 电子级超纯水系统及 15
  • 项目地址:四川成都
  • 所属行业:新材料行业

项目概况

OLED和Micro-LED的TFT(薄膜晶体管)阵列制造对水质要求仅次于半导体逻辑芯片。特别是Micro-LED的巨量转移和微缩化工艺,对水中的金属离子(Na, K, Ca, Fe)和颗粒(>0.1μm)极度敏感,微量钠离子会导致TFT阈值电压漂移,颗粒会导致像素点暗斑。同时,面板厂用水量巨大,当地要求中水回用率必须>70%。

定制解决方案

1,阵列级超纯水精制:主系统采用“UF+双级RO+EDI+TOC-UV+抛光混床+终端0.1μm UF”。针对钠、钾等碱金属,抛光混床采用对碱金属具有极高选择性的特种树脂;终端UF采用中空纤维PFA膜,确保>0.1μm颗粒<1个/mL。

2,复杂中水深度回用:面板废水含光刻胶、剥离液和重金属。中水回用系统采用“混凝沉淀+臭氧催化氧化+浸没式MBR(膜生物反应器)+双级RO”。MBR采用抗污染型PTFE(聚四氟乙烯)平板膜,彻底拦截大分子有机物和悬浮物,确保RO进水SDI<2。

3,防细菌滋生与管网控制:面板厂用水存在明显的班次峰谷。纯水管网采用全循环大流量设计,流速始终保持在>1.5m/s,防止死水区细菌滋生。储罐配备高纯氮气密封和呼吸器,隔绝空气微粒。

项目运行成效和优势

1,保障微缩化良率:产水中Na、K等碱金属离子稳定在<0.5ppb,>0.1μm颗粒<0.5个/mL。有效避免了TFT阈值电压漂移和像素暗斑,Micro-LED巨量转移良率提升2%。

2,高回用率与膜寿命:PTFE平板MBR和臭氧催化的组合,使系统对复杂面板废水具有极强的耐受能力。RO膜进水SDI稳定<1.5,膜化学清洗周期延长至6个月,中水回用率稳定在75%以上。

3,管网水质长期稳定:全循环大流量设计和氮气密封,使管网末端水质与主系统产水水质完全一致,彻底消除了停机期间细菌繁殖导致的TOC超标风险。

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