GaAs/InP等化合物半导体在湿法刻蚀和清洗中，需使用大量超纯水和混合酸（如盐酸、磷酸、柠檬酸）。其对超纯水的TOC和颗粒要求极高，因为有机物会吸附在晶圆表面形成疏水膜，影响后续金属化镀层附着力。同
GaAs/InP等化合物半导体在湿法刻蚀和清洗中，需使用大量超纯水和混合酸（如盐酸、磷酸、柠檬酸）。其对超纯水的TOC和颗粒要求极高，因
为有机物会吸附在晶圆表面形成疏水膜，影响后续金属化镀层附着力。同时，产生的含砷（As）、含磷（P）废酸具有剧毒且处理成本极高，传
统中和沉淀法会产生大量危险固废（含砷污泥）。
1，极低TOC超纯水制备：主系统采用“UF+双级RO+185nm TOC-UV+脱气膜+抛光混床”。核心在于两级185nm紫外线氧化，将水中微量有机物彻底矿化为CO2，随后通过脱气膜将CO2脱除，确保产水TOC<0.5ppb。
2扩散渗析（Diffusion Dialysis）废酸回收：针对含砷/含磷废酸，引入阴离子交换膜扩散渗析技术。利用浓度差作为驱动力，废酸中的游离酸（H+和酸根离子）透过膜进入水侧被回收，而大分子有机物和重金属离子（As3+, In3+）被截留在残液侧。
3，残液深度解毒与固化：渗析后的残液采用“臭氧氧化+硫化物沉淀+压滤”，将剧毒的砷转化为稳定的硫化砷沉淀，并进行水泥固化，大幅减少危废体积。
1，提升金属化良率：极低TOC（<0.3ppb）的超纯水彻底消除了晶圆表面的有机物残留，使后续金属化镀层的附着力提升20%，剥离缺陷率降低40%。
2，废酸资源化与危废减量：扩散渗析系统酸的回收率>85%，每年节约高纯酸采购成本超百万元；残液经解毒固化后，危废体积减少80%，大幅降低了危废处置费用。
3，环保与经济效益双赢：系统彻底改变了传统“中和-沉淀”的高成本模式，实现了剧毒废酸的减量化和资源化，满足了最严格的环保监管要求。
