碳化硅（SiC）外延片在生长前，衬底表面的清洗质量直接决定了外延层的缺陷密度（如基平面位错BPD、微管）。SiC对重金属离子（如Fe, Cu, Ni）极度敏感，要求控制在0.5ppt以下；微量的金属污
2，Hot UPW专属防析出设计：加热模块采用316L EP（电解抛光）双管板换热器，管程走超纯水，壳程走高纯蒸汽，双管板设计彻底杜绝了蒸汽冷凝水泄漏污染超纯水的风险。加热后的Hot UPW进入高纯氮气脱气保鲜塔，在80℃高温下利用高纯氮气吹扫剥离微量气体。
3，POU微环境控制：在清洗机台的POU供水点前，增设0.02μm POU级终端过滤器（PFA材质）。POU管道采用全氟醚橡胶（FFKM）密封件，防止高温下普通橡胶溶胀析出有机物。
2，清洗效率与良率提升：80℃热超纯水配合兆声波清洗，使SiC衬底表面微粒去除率提升至99.99%，单片清洗时间缩短20%，提高了产线产能。
3，长期水质稳定性：双管板换热器和无死角管道设计，彻底杜绝了高温工况下的金属析出和死水区细菌滋生。系统连续运行12个月，POU端水质未出现任何衰减。
