第三代半导体氮化镓外延基地 11200m³/h 洁净循环水总包项目
东莞第三代半导体产业园氮化镓外延项目配套循环冷却水系统，设计循环水量 11200m³/h，服务 MOCVD 外延生长设备。MOCVD 设备对冷却水温稳定性、水体洁净度要求极高，微小杂质、温度波动都会造
项目概况
东莞第三代半导体产业园氮化镓外延项目配套循环冷却水系统，设计循环水量 11200m³/h，服务 MOCVD 外延生长设备。MOCVD 设备对冷却水温稳定性、水体洁净度要求极高，微小杂质、温度波动都会造成外延片晶格缺陷，影响芯片光电性能；外延设备采购成本高昂，冷却系统一旦故障损失巨大。厂房洁净等级高，不允许使用开式冷却塔；园区厂房预留设备空间狭小，要求冷却设备结构紧凑、支持屋顶布置；生产线实行两班 24 小时连续生产，冷却系统必须具备故障自动切换、快速报警能力。
定制解决方案
选用紧凑型模块化闭式冷却机组，支持屋顶安装，节约车间内部空间；全部循环管路采用 EP 电解抛光不锈钢管道，最大限度减少金属离子析出。系统配置多级精密过滤单元，持续降低水体颗粒物；独立恒温控制系统将供水温度波动控制在 ±0.3℃以内。所有主循环泵设置备用机组，建立故障自动切换逻辑；全管路布设高灵敏度漏液检测线缆，微量渗漏实时声光报警并上传中控。设备配套减震降噪模块，避免振动传导影响 MOCVD 精密设备。EPC 交付包含系统洁净吹扫、水质稳定调试、运维人员专项培训，制定防止管路污染的开机、停机标准化流程。
项目运行成效和优势
紧凑型屋顶闭式方案完美适配厂房空间受限条件；高精度稳定温控、高洁净水路保障 MOCVD 外延生长工艺稳定，有效降低外延片缺陷率。冗余泵组与自动切换机制杜绝冷却中断风险，保护高价值外延设备。密闭循环系统满足洁净厂房环境管理要求，无水雾、无外源污染。整套设备自动化程度高，日常值守工作量小；洁净管路标准化操作流程避免调试、检修过程引入杂质。方案高度适配第三代半导体氮化镓、碳化硅外延产线，针对 MOCVD 设备专项优化，是国内化合物半导体工厂冷却系统成熟案例。
