本项目为国内领先的碳化硅衬底生产企业新建产线配套超纯水工程，设计产水量 80m³/h，出水水质执行 SEMI G3 级超纯水标准，电阻率≥18MΩ・cm，TOC≤10ppb，溶解氧≤5ppb，金属离子
针对碳化硅半导体材料生产的超高水质要求，项目采用 “预处理 + 一级反渗透 + 二级反渗透 + EDI + 深度抛光混床 + 终端精处理” 的全流程工艺，重点强化金属离子、颗粒物与
溶解氧控制。预处理段设置盘式过滤器、超滤、活性炭过滤与软化单元，超滤采用亲水改性 PVDF 膜，有效截留胶体与大分子颗粒，产水 SDI≤1.5；活性炭选用低析出高纯度椰壳
炭，去除余氯同时避免自身有机物析出；软化器采用食品级阳离子树脂，将进水硬度降至痕量水平。反渗透系统两级设计，均选用低析出、高脱盐芳香聚酰胺膜元件，一级回收
率 75%，二级回收率 88%，中间设置 pH 调节与脱气膜单元，去除水中二氧化碳与部分溶解氧，二级产水电导率≤0.3μS/cm。EDI 单元选用高纯度无硅析出模块，产水电阻率稳
定≥17.5MΩ・cm，金属离子去除率达 99.9% 以上。后处理段设置两级抛光混床，选用核级抛光树脂，深度去除痕量金属离子与硅酸根，产水电阻率提升至 18.2MΩ・cm；配
套 185nm 紫外 TOC 降解器与真空脱气膜，将 TOC 降至 10ppb 以内，溶解氧降至 5ppb 以下。终端设置 0.03μm 高精度囊式过滤器，对每个用水点进行终端过滤，杜绝管道输送带
来的颗粒污染。洁净管道采用 PFA 材质，满足超纯水输送洁净要求，采用循环供水方式，回流水量比例 40%，保障管网水质均匀稳定。系统采用全不锈钢机架与洁净级阀门管件，避
免材质析出污染水质；电控系统采用冗余 PLC 控制，所有水质参数在线实时监测，数据可追溯存储，满足半导体生产质量管理要求。
项目投运后各项水质指标稳定达到设计要求，产水电阻率长期维持在 18.2MΩ・cm，金属离子、TOC、溶解氧等关键指标均优于 G3 级标准，有效保障了碳化硅晶体生长与晶片加工
质量，助力业主 6 英寸碳化硅衬底良品率提升 3 个百分点，产品核心参数达到国际先进水平。系统运行稳定可靠，自动化程度高，日常运维仅需 2 名专业人员，年停机维护时间不
超过 48 小时，完全适配碳化硅材料连续生产的需求。系统运行能耗约 0.95kWh/m³，浓水经收集后回用于厂区绿化与卫生间冲水，综合水利用率达 78%。项目通过精细化的杂质控制
设计与高标准的洁净施工，成功解决了第三代半导体材料生产对超纯水的严苛要求，凭借总承包模式的全流程品质管控，为国内第三代半导体产业配套水处理提供了可复制的技术方
案与项目经验。
